BSO613SPV參數(shù):MOSFET P-CH 60V 3.44A DSO-8
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: ProductDiscontinuation22/Feb/2008標準包裝:2,500系列:SIPMOS®包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):60V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):3.44A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):130毫歐@3.44A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):4V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):30nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):875pF@25V功率-最大值:2.5W安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm寬)供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8